半导体器件10keV低能X射线总剂量辐射试验方法

SJ/T 11586-2016现行行业标准

标准状态

发布于：2016-01-15

实施于：2016-06-01

废止

标准号SJ/T 11586-2016

标准状态现行

发布日期2016-01-15

实施日期2016-06-01

中国标准分类号L40 半导体分立器件综合

国际标准分类号31.080.01 半导体分立器件综合

发布部门工业和信息化部

技术归口工业和信息化部电子工业标准化研究院

起草单位工业和信息化部电子第五研究所

起草人罗宏伟、何玉娟、恩云飞等

本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10keV，最大能量不超过100keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。