氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in GaN Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
标准状态
发布于：2019-11-25
实施于：2019-11-25
废止
基本信息
T/CASAS 010-2019
现行
2019-11-25
2019-11-25
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、深圳第三代半导体研究院、中国科学院苏州纳米所、北京大学、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、济南力冠电子科技有限公司。
齐俊杰、魏学成、胡超胜、李志超、卫喆、张志国、张凯、田飞飞、许福军、郑永生、郭艳敏、王锡铭、宋德鹏、李晋闽
内容预览
