p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices
标准状态
发布于：2018-11-20
实施于：2018-11-20
废止
基本信息
T/CASAS 003-2018
现行
2018-11-20
2018-11-20
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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