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半导体紫外发射二极管 第3部分:器件规范

SJ/T 11818.3-2022现行行业标准

标准状态

发布于:2022-10-20
实施于:2023-01-01
废止

基本信息

SJ/T 11818.3-2022
现行
2022-10-20
2023-01-01
L53 半导体发光器件
工业和信息化部
中国电子标准化研究院
中国电子标准化研究院
鸿利智汇集团股份有限公司、广州市鸿利秉一光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研究院院有限公司、三安光电股份有限公司、厦门多彩光电子科技有有限公司、中国电子科技集团有限公司第十三研究所、佛山市国星光电股份有限公司、华南理工大学
吕天刚、王跃飞、吴乾、刘秀娟、周钢、梁奋、郑剑飞、刘东月、袁毅凯、李宗涛

标准简介

本文件规定了半导体紫外发射二极管(以下简称器件)的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则,以及标志、包装、运输和储存要求。 本文件适用于峰值波长范围在200nm~400nm件的制造和使用,峰值波长400nm~420nm的 器件可参照执行。

内容预览

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