碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法
Dynamic gate stress test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor（SiC MOSFET）
标准状态
发布于：2024-11-19
实施于：2024-11-19
废止
基本信息
T/CASAS 045-2024
现行
2024-11-19
2024-11-19
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
清纯半导体（宁波）有限公司、复旦大学宁波研究院、复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所、东风汽车集团有限公司、杭州三海电子科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、深圳禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、宁波达新半导体有限公司、智新半导体有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、上海维安电子股份有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、中国电力科学研究院有限公司、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、西安交通大学、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中
孙博韬、樊嘉杰、侯欣蓝、罗润鼎、史文华、雷光寅、陈媛、左元慧、张俊然、李钾、冯海科、汤益丹、谢峰、崔丁元、于亮、刘惠鹏、袁琰、王民、张海涛、庄建军、张园览、刘鹏飞、乔良、王丹丹、万玉喜、陈刚、王来利、杨奉涛、刘宗亮、李本亮、徐瑞鹏。
标准简介
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)具有击穿电压高、导通电流大、开关速度快、功率损耗小、高温稳定性好等优点，被认为是最具前景的半导体器件之一，它具有能够大幅提高现有装置集成的功率密度、效率、高温工作能力以及抗辐射的能力，与此同时还降低了系统的体积和重量，因此在智能电网、光伏发电、电动汽车等领域，都具有非常广阔的应用前景。SiC MOSFET在各类动态过程中会出现各类物理变化的迟滞，从而发生由于内部结构与外电路的不匹配，或内部各结构之间的不匹配而引发的应力叠加，或瞬态失效问题。
内容预览
