碳化硅器件功率循环试验方法

Power cycling test methods for silicon carbide power devices

T/IAWBS 025-2025现行团体标准

标准状态

发布于：2025-09-24

实施于：2025-10-10

废止

标准号T/IAWBS 025-2025

标准状态现行

发布日期2025-09-24

实施日期2025-10-10

国际标准分类号31.080.01 半导体分立器件综合

发布部门中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

团体名称中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草单位中国科学院电工研究所、华中科技大学、浙江芯丰科技有限公司、华侨大学、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草人张瑾，邹欣宇，王智强，傅金源，郭兴华，刘祎晨

本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混合封装器件的测试。