半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

GB/T 36474-2018现行国家标准

标准状态

发布于：2018-06-07

实施于：2019-01-01

废止

标准号GB/T 36474-2018

标准状态现行

发布日期2018-06-07

实施日期2019-01-01

中国标准分类号L56 半导体集成电路

国际标准分类号31.200 集成电路、微电子学

主管部门工业和信息化部（电子）

发布部门国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口工业和信息化部（电子）

起草单位中国电子技术标准化研究院、上海高性能集成电路设计中心、成都华微电子科技有限公司、西安紫光国芯半导体有限公司、武汉芯动科技有限公司

起草人孔宪伟、殷梦迪、高专、刘建明、尹萍、巨鹏锦

本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3SDRAM）功能验证和电参数测试的方法。本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3SDRAM)功能验证和电参数测试。