射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
Two—dimensional electron gas mobility of RF GaN HEMT epitaxial wafers—Non—contact Hall measurement method
标准状态
发布于：2023-06-30
实施于：2023-07-01
废止
基本信息
T/CASAS 027-2023
现行
2023-06-30
2023-07-01
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVA SYTEM INC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、Roger Luo、裴轶、徐瑞鹏
标准简介
本文件描述了射频 GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)外延片的二维电子气迁移率非接触 Hall 测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。 本文件适用于半绝缘衬底上的 GaN HEMT 外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在 100c㎡⁄V∙s ~ 20000c㎡⁄V∙s。该方法同样适用于其他材料体系的类似结构(例如 GaAs、InP HEMT 结构) 外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。
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