非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法
Online test method of GaN High-Electron-Mobility-Transistor under unclamped inductive switching
标准状态
发布于：2025-05-26
实施于：2025-05-26
废止
基本信息
T/CASAS 052-2025
现行
2025-05-26
2025-05-26
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
电子科技大学、工业和信息化部电子第五研究所、大连理工大学、上海大学、北京大学、北京大学东莞光电研究院、深圳平湖实验室、湖南三安半导体有限责任公司、苏州能讯高能半导体有限公司、杭州长川科技股份有限公司、是德科技（中国）有限公司、佛山市联动科技股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
孙瑞泽、陈万军、明鑫、施宜军、黄火林、任开琳、魏进、刘强、曾威、王小明、石瑜、夏云、刘成、裴轶、孙海洋、耿霄雄、孙承志、陈希辰、高伟
标准简介
本文件描述了执行非钳位感性负载应力下氮化镓高电子迁移率晶体管在线测试方法，包括原理、测试条件、仪器设备、测试步骤、试验数据处理和试验报告。 本文件适用于封装级GaN HEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评价及应用评估。
内容预览
