半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架规范

Semiconductor integrated circuits—Specification of DIP leadframes produced by etching

GB/T 15877-2013现行国家标准

标准状态

发布于：2013-12-31

实施于：2014-08-15

废止

标准号GB/T 15877-2013

标准状态现行

发布日期2013-12-31

实施日期2014-08-15

中国标准分类号L56 半导体集成电路

国际标准分类号31.200 集成电路、微电子学

主管部门工业和信息化部（电子）

技术归口工业和信息化部（电子）

代替标准GB/T 15877-1995

起草单位宁波东盛集成电路元件有限公司

起草人任忠平、尹国钦

本标准规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求和试验方法及检验规则。本标准适用于半导体集成电路蚀刻型双列（DIP）封装引线框架（镀金及镀银），单列蚀刻型引线框架亦可参照使用。