用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南
Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) based power conversion devices
标准状态
发布于：2026-08-28
实施于：2027-03-01
废止
基本信息
GB/T 48170-2026
即将实施
2026-08-28
2027-03-01
工业和信息化部（电子）
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
工业和信息化部（电子）