L 电子元器件与信息技术

标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
SJ/T 11561-2015	软件构件运行环境规范	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11558.5-2015	LED驱动电源第5部分：测试方法	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11564.4-2015	信息技术服务运行维护第4部分：数据中心规范	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.13-2015	半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.12-2015	半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.11-2015	半导体红外发射二极管测量方法第11部分：响应时间	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.10-2015	半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.9-2015	半导体红外发射二极管测量方法第9部分：辐射强度空间分布和半强度角	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2089-2015	电子测量仪器型号命名方法	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.3-2015	半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.2-2015	半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.1-2015	半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.8-2015	半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.7-2015	半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.6-2015	半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.5-2015	半导体红外发射二极管测量方法第5部分：串联电阻	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.4-2015	半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11565.1-2015	信息技术服务咨询设计第1部分：通用要求	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11563-2015	网络化可信软件生产过程与环境	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11438-2015	信息技术商用卷式热敏纸通用规范	现行	2015-10-10	2016-04-01