L54 半导体光敏器件

收录 25 项

左右滑动表格，可查看日期并点击排序

标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
T/ZOIA 3003-2024	硅光电倍增管可靠性评估方法	现行	2024-02-04	2024-02-04
T/ZOIA 3002-2024	硅光电倍增管性能测试方法	现行	2024-02-04	2024-02-04
GB/T 43063-2023	集成电路 CMOS图像传感器测试方法	现行	2023-09-07	2024-01-01
SJ 21152-2016	微波组件元器件选用指南	现行	2016-12-14	2017-03-01
SJ/T 2354-2015	PIN、雪崩光电二极管测试方法	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 2216-2015	硅光电二极管技术规范	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 2214-2015	半导体光电二极管和光电晶体管测试方法	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 2217-2014	硅光电晶体管技术规范	现行	2014-10-14	2015-04-01
JB/T 9478.9-2013	光电池测量方法第9部分：光谱响应特性	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.2-2013	光电池测量方法第2部分：伏安特性	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.11-2013	光电池测量方法第11部分：结电容	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.6-2013	光电池测量方法第6部分：暗电流	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.3-2013	光电池测量方法第3部分：光电转换效率	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.4-2013	光电池测量方法第4部分：照度-电流特性	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.7-2013	光电池测量方法第7部分：暗电流温度特性	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.8-2013	光电池测量方法第8部分：光谱灵敏度	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.12-2013	光电池测量方法第12部分：反向击穿电压	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.10-2013	光电池测量方法第10部分：上升时间、下降时间	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.1-2013	光电池测量方法第1部分：总则	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.5-2013	光电池测量方法第5部分：积分灵敏度	现行	2013-12-31	2014-07-01