29.045 半导体材料
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| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 44334-2024 | 埋层硅外延片 | 现行 | 2024-08-23 | 2025-03-01 |
| T/CIET 722-2024 | 半导体用高纯溅射靶材 | 现行 | 2024-10-23 | 2024-10-23 |
| YS/T 1061-2024 | 硅多晶用硅芯 | 现行 | 2024-10-24 | 2025-05-01 |
| YS/T 28-2024 | 硅片包装和标志 | 现行 | 2024-10-24 | 2025-05-01 |
| T/ZZB 3882-2024 | 等离子刻蚀机用硅环 | 现行 | 2024-12-02 | 2025-01-02 |
| YS/T 1744-2025 | 半绝缘砷化镓单晶衬底片 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
| YS/T 840-2025 | 再生硅原料 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
| T/CIET 1279-2025 | 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT） | 现行 | 2025-05-14 | 2025-05-14 |
| T/CASAS 54-2025 | 氮化铝晶片吸收系数测试方法 | 现行 | 2025-05-20 | 2025-05-20 |
| T/CASAS 53-2025 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 | 现行 | 2025-05-20 | 2025-05-20 |
| GB/T 25074-2025 | 太阳能级硅多晶 | 现行 | 2025-06-30 | 2026-01-01 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| T/CASAS 060-2025 | 用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片 | 现行 | 2025-08-29 | 2025-08-29 |
| T/IAWBS 024-2025 | 金刚石单晶中石墨相的相对含量测定 拉曼光谱法 | 现行 | 2025-09-24 | 2025-10-10 |
| T/IAWBS 023-2025 | 金刚石单晶表面应力分布测定 拉曼光谱法 | 现行 | 2025-09-24 | 2025-10-10 |
| GB/T 30858-2025 | 蓝宝石单晶衬底抛光片 | 现行 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| YS/T 1828-2025 | 半导体材料掺杂用扩散膜 | 现行 | 2025-12-17 | 2026-07-01 |
| YS/T 1829-2025 | 区熔用硅多晶材料 | 现行 | 2025-12-17 | 2026-07-01 |
| YS/T 1825-2025 | 集成电路用四甲基硅烷 | 现行 | 2025-12-17 | 2026-07-01 |
| T/ZZB 3947-2025 | 硅舟 | 现行 | 2025-12-20 | 2025-12-31 |