31.080.30 三极管
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| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB/T 8951.1-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第1部分：单管 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| JB/T 8951.3-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第3部分：臂对模块 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| JB/T 8951.4-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第4部分：单相桥模块 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| JB/T 8951.2-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第2部分：臂模块 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| JB/T 8951.5-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第5部分：三相桥模块 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| T/CASAS 037-2027 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷试验方法 | 现行 | 2025-12-30 | 2025-12-30 |
| GB/T 6217-2026 | 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |