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31.080.01 半导体分立器件综合

收录 153 项
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标准号标准名称状态发布日期 实施日期
GB/T 4937.35-2024半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查现行2024-03-152024-07-01
T/CASAS 034-2024用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法现行2024-09-302024-09-30
T/CASAS 035-2024用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法现行2024-09-302024-09-30
T/CI 544-2024低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作流程规范现行2024-10-082024-10-08
T/SZSA 031.01-2024ESD/TVS静电保护类器件测试规范现行2024-10-142024-10-21
T/SZSA 026-2024固化用紫外线（UV）LED封装 技术规范现行2024-10-142024-10-21
T/CVIA 145-2024Micro LED显示屏质量视觉测试方法现行2024-10-162024-10-16
GB/T 20870.4-2024半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关现行2024-10-262024-10-26
T/SZAA 001-2024车身域控制器场效应管负载能力试验方法现行2024-11-142024-11-30
T/CASAS 043-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 046-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 021-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 033-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 045-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 044-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 042-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 037-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法现行2024-11-192024-11-19
T/CPSS 1004-2025车规级功率半导体模块动态特性测试规范现行2025-01-222025-01-23
T/ACCEM 515-2025高性能高密度沟槽栅IGBT器件现行2025-03-202025-04-18
T/ACCEM 515-2025高性能高密度沟槽栅IGBT器件现行2025-03-202025-04-18

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