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L40 半导体分立器件综合

收录 209 项
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标准号标准名称状态发布日期 实施日期
GB/T 4937.26-2023半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM）现行2023-09-072024-04-01
GB/T 4587-2023半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管现行2023-09-072024-04-01
GB/T 4937.34-2024半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环现行2024-03-152024-07-01
GB/T 4937.35-2024半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查现行2024-03-152024-07-01
T/SZSA 031.01-2024ESD/TVS静电保护类器件测试规范现行2024-10-142024-10-21
DB13/T 6033-2024半导体器件低浓度氢效应试验方法现行2024-10-282024-11-28
DB32/T 4894-2024微机电系统半导体气体传感器性能检测方法现行2024-11-072024-12-07
T/SZAA 001-2024车身域控制器场效应管负载能力试验方法现行2024-11-142024-11-30
T/CPSS 1004-2025车规级功率半导体模块动态特性测试规范现行2025-01-222025-01-23
GB/T 45719-2025半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45722-2025半导体器件 恒流电迁移试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45716-2025半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45718-2025半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45721.1-2025半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 46717-2025半导体器件 金属化空洞应力试验现行2025-10-312026-05-01
GB/T 4937.16-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND）现行2025-10-312026-05-01
GB/T 46567.1-2025智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性现行2025-10-312025-10-31
GB/T 4937.29-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分：闩锁试验现行2025-12-022026-07-01
GB/T 20521.5-2025半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN结半导体温度传感器现行2025-12-022026-07-01
GB/T 46788-2025半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求现行2025-12-022026-07-01

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