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31.080.01 半导体分立器件综合
31.080.10 二极管
31.080.20 晶体闸流管
31.080.30 三极管
31.080.99 其他半导体分立器件
31.080.01 半导体分立器件综合
31.080.01 半导体分立器件综合
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133
项
全部状态
现行
即将实施
废止
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标准号
标准名称
状态
发布日期
↕
实施日期
↕
T/CASAS 030-2023
GaN毫米波前端芯片测试方法
现行
2023-06-30
2023-07-01
T/CASAS 027-2023
射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
现行
2023-06-30
2023-07-01
T/CASAS 031-2023
面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法
现行
2023-06-30
2023-07-01
T/CASAS 029-2023
Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法
现行
2023-06-30
2023-07-01
GB/T 20870.5-2023
半导体器件 第16-5部分:微波集成电路 振荡器
现行
2023-09-07
2024-01-01
GB/T 4937.26-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM)
现行
2023-09-07
2024-04-01
GB/T 20870.2-2023
半导体器件 第16-2部分:微波集成电路 预分频器
现行
2023-09-07
2023-09-07
GB/T 4937.34-2024
半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分:功率循环
现行
2024-03-15
2024-07-01
GB/T 4937.35-2024
半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分:塑封电子元器件的声学显微镜检查
现行
2024-03-15
2024-07-01
T/CASAS 034-2024
用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法
现行
2024-09-30
2024-09-30
T/CASAS 035-2024
用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法
现行
2024-09-30
2024-09-30
T/CI 544-2024
低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作流程规范
现行
2024-10-08
2024-10-08
T/SZSA 031.01-2024
ESD/TVS静电保护类器件测试规范
现行
2024-10-14
2024-10-21
T/SZSA 026-2024
固化用紫外线(UV)LED封装 技术规范
现行
2024-10-14
2024-10-21
T/CVIA 145-2024
Micro LED显示屏质量视觉测试方法
现行
2024-10-16
2024-10-16
GB/T 20870.4-2024
半导体器件 第16-4部分:微波集成电路 开关
现行
2024-10-26
2024-10-26
T/SZAA 001-2024
车身域控制器场效应管负载能力试验方法
现行
2024-11-14
2024-11-30
T/CASAS 043-2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温反偏试验方法
现行
2024-11-19
2024-11-19
T/CASAS 046-2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态反偏(DRB)试验方法
现行
2024-11-19
2024-11-19
T/CASAS 021-2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法
现行
2024-11-19
2024-11-19
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