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H21 金属物理性能试验方法
H21 金属物理性能试验方法
收录
451
项
全部状态
现行
即将实施
废止
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标准号
标准名称
状态
发布日期
↕
实施日期
↕
GB/T 24578-2024
半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
现行
2024-07-24
2025-02-01
T/ZSA 231-2024
氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
现行
2024-05-15
2024-05-16
GB/T 43894.1-2024
半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
现行
2024-04-25
2024-11-01
YB/T 6162-2024
取向电工钢涂层对基体的张应力测试方法
现行
2024-03-29
2024-10-01
YS/T 1615-2023
镍钴锰酸锂电化学性能测试 直流内阻测试方法
现行
2023-12-20
2024-07-01
GB/T 43313-2023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
现行
2023-11-27
2024-06-01
GB/T 43315-2023
硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法
现行
2023-11-27
2024-06-01
GB/T 23365-2023
钴酸锂电化学性能测试 首次放电比容量及首次充放电效率测试方法
现行
2023-09-07
2024-04-01
GB/T 43096-2023
金属粉末 稳态流动条件下粉末层透过性试验测定外比表面积
现行
2023-09-07
2024-04-01
GB/T 43092-2023
锂离子电池正极材料电化学性能测试 高温性能测试方法
现行
2023-09-07
2024-04-01
GB/T 43093-2023
镍锰酸锂电化学性能测试 首次放电比容量及首次充放电效率测试方法
现行
2023-09-07
2024-04-01
GB/T 42905-2023
碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
现行
2023-08-06
2024-03-01
GB/T 6616-2023
半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
现行
2023-08-06
2024-03-01
GB/T 42902-2023
碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
现行
2023-08-06
2024-03-01
GB/T 1553-2023
硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
现行
2023-08-06
2024-03-01
GB/T 42907-2023
硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法
现行
2023-08-06
2024-03-01
GB/T 42676-2023
半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
现行
2023-08-06
2024-03-01
GB/T 42789-2023
硅片表面光泽度的测试方法
现行
2023-08-06
2024-03-01
GB/T 1555-2023
半导体单晶晶向测定方法
现行
2023-08-06
2024-03-01
GB/T 42514-2023
铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜的腐蚀评定 图表法
现行
2023-05-23
2023-12-01
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