31.080 半导体分立器件

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标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
JB/T 7624-2013	整流二极管测试方法	现行	2013-04-25	2013-09-01
JB/T 4193-2013	快速晶闸管	现行	2013-04-25	2013-09-01
SJ/T 3273-2013	高压元件和组件的安全要求	现行	2013-10-17	2013-12-01
JB/T 11623-2013	平面厚膜半导体气敏元件	现行	2013-12-31	2014-07-01
GB 50986-2014	干法赤泥堆场设计规范	现行	2014-04-15	2015-01-01
SJ/T 2217-2014	硅光电晶体管技术规范	现行	2014-10-14	2015-04-01
SJ/T 2215-2015	半导体光电耦合器测试方法	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 2216-2015	硅光电二极管技术规范	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 2214-2015	半导体光电二极管和光电晶体管测试方法	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 11486-2015	小功率LED芯片技术规范	现行	2015-04-30	2015-10-01
GB 51136-2015	薄膜晶体管液晶显示器工厂设计规范	现行	2015-09-30	2016-06-01
SJ/T 2658.13-2015	半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.12-2015	半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.11-2015	半导体红外发射二极管测量方法第11部分：响应时间	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.10-2015	半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.9-2015	半导体红外发射二极管测量方法第9部分：辐射强度空间分布和半强度角	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.3-2015	半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.2-2015	半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.1-2015	半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.8-2015	半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度	现行	2015-10-10	2016-04-01