31.080.01 半导体分立器件综合

收录 133 项

左右滑动表格，可查看日期并点击排序

标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
GB/T 4937.19-2018	半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度	现行	2018-09-17	2019-01-01
GB/T 4937.21-2018	半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性	现行	2018-09-17	2019-01-01
GB/T 4937.14-2018	半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固性)	现行	2018-09-17	2019-01-01
GB/T 4937.12-2018	半导体器件机械和气候试验方法第12部分：扫频振动	现行	2018-09-17	2019-01-01
GB/T 4937.22-2018	半导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度	现行	2018-09-17	2019-01-01
GB/T 4937.17-2018	半导体器件机械和气候试验方法第17部分：中子辐照	现行	2018-09-17	2019-01-01
GB/T 4937.30-2018	半导体器件机械和气候试验方法第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理	现行	2018-09-17	2019-01-01
GB/T 4937.20-2018	半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响	现行	2018-09-17	2019-01-01
GB/T 4937.201-2018	半导体器件机械和气候试验方法第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输	现行	2018-09-17	2019-01-01
GB/T 4937.18-2018	半导体器件机械和气候试验方法第18部分：电离辐照(总剂量)	现行	2018-09-17	2019-01-01
T/CASAS 003-2018	p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片	现行	2018-11-20	2018-11-20
T/CASAS 004.1-2018	4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语	现行	2018-11-20	2018-11-20
T/CASAS 004.2-2018	4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱	现行	2018-11-20	2018-11-20
T/CASAS 009-2019	半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法	现行	2019-11-25	2019-11-25
T/CASAS 010-2019	氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法	现行	2019-11-25	2019-11-25
T/CASAS 007-2020	电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范	现行	2020-05-25	2020-05-25
T/ZZB 1976-2020	风电变流器用液冷散热器	现行	2020-11-30	2020-12-30
SJ/T 11767-2020	二极管低频噪声参数测试方法	现行	2020-12-09	2021-04-01
SJ/T 11766-2020	光电耦合器件低频噪声参数测试方法	现行	2020-12-09	2021-04-01
T/CPSS 1012-2021	IGBT驱动器测试技术规范	现行	2021-08-27	2021-09-01