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31.080.01 半导体分立器件综合
31.080.10 二极管
31.080.20 晶体闸流管
31.080.30 三极管
31.080.99 其他半导体分立器件
31.080.01 半导体分立器件综合
31.080.01 半导体分立器件综合
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153
项
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现行
即将实施
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标准号
标准名称
状态
发布日期
↕
实施日期
↕
T/CASAS 015-2022
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法
现行
2022-07-18
2022-07-18
T/CASAS 016-2022
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法
现行
2022-07-18
2022-07-18
SJ/T 11845.2-2022
基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第2部分:光电耦合器件
现行
2022-10-20
2023-01-01
T/CASAS 022-2022
三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
现行
2022-12-09
2022-12-09
T/CI 161-2022
1200 V和1700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器
现行
2022-12-15
2022-12-15
T/CVIA 118-2023
T/DTIA 002-2023 光场显示器的单目立体视觉测量方法
现行
2023-04-18
2023-04-18
GB/T 4937.27-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试 机器模型(MM)
现行
2023-05-23
2023-12-01
GB/T 4937.23-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分:高温工作寿命
现行
2023-05-23
2023-12-01
GB/T 4937.32-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的)
现行
2023-05-23
2023-12-01
GB/T 4937.31-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的)
现行
2023-05-23
2023-12-01
GB/T 4937.42-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分:温湿度贮存
现行
2023-05-23
2023-12-01
T/CASAS 028-2023
Sub-6GHz GaN射频器件可靠性筛选和验收方法
现行
2023-06-30
2023-07-01
T/CASAS 030-2023
GaN毫米波前端芯片测试方法
现行
2023-06-30
2023-07-01
T/CASAS 027-2023
射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
现行
2023-06-30
2023-07-01
T/CASAS 031-2023
面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法
现行
2023-06-30
2023-07-01
T/CASAS 029-2023
Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法
现行
2023-06-30
2023-07-01
GB/T 20870.5-2023
半导体器件 第16-5部分:微波集成电路 振荡器
现行
2023-09-07
2024-01-01
GB/T 4937.26-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM)
现行
2023-09-07
2024-04-01
GB/T 20870.2-2023
半导体器件 第16-2部分:微波集成电路 预分频器
现行
2023-09-07
2023-09-07
GB/T 4937.34-2024
半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分:功率循环
现行
2024-03-15
2024-07-01
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