| GB/T 4587-2023 | 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 15651.6-2023 | 半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 20870.2-2023 | 半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器 | 现行 | 2023-09-07 | 2023-09-07 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| T/ZOIA 3003-2024 | 硅光电倍增管可靠性评估方法 | 现行 | 2024-02-04 | 2024-02-04 |
| T/ZOIA 3002-2024 | 硅光电倍增管性能测试方法 | 现行 | 2024-02-04 | 2024-02-04 |
| GB/T 4937.34-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 4937.35-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.5-2024 | 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 44514-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法 | 现行 | 2024-09-29 | 2024-09-29 |
| GB/T 44531-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 基于MEMS技术的车规级压力传感器技术规范 | 现行 | 2024-09-29 | 2024-09-29 |
| GB/T 44513-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-01-01 |
| GB/T 44635-2024 | 静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级 | 现行 | 2024-09-29 | 2024-09-29 |
| GB/T 44517-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| GB/T 44515-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-01-01 |
| GB/T 44529-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 射频MEMS环行器和隔离器 | 现行 | 2024-09-29 | 2024-09-29 |
| T/CASAS 034-2024 | 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | 2024-09-30 |
| T/CASAS 035-2024 | 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | 2024-09-30 |