29.045 半导体材料
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| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 11070-2006 | 还原锗锭 | 已废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 20229-2006 | 磷化镓单晶 | 已废止 | 2006-04-21 | 2006-10-01 |
| GB/T 20230-2006 | 磷化铟单晶 | 已废止 | 2006-04-21 | 2006-10-01 |
| GB/T 20228-2006 | 砷化镓单晶 | 已废止 | 2006-04-21 | 2006-10-01 |
| GB/T 12962-2005 | 硅单晶 | 已废止 | 2005-09-19 | 2006-04-01 |
| GB/T 12965-2005 | 硅单晶切割片和研磨片 | 已废止 | 2005-09-19 | 2006-04-01 |
| YS 68-2004 | 砷 | 已废止 | 2004-06-17 | 2004-11-01 |
| GB/T 12964-2003 | 硅单晶抛光片 | 已废止 | 2003-06-16 | 2004-01-01 |
| GB/T 19199-2003 | 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 | 已废止 | 2003-06-16 | 2004-01-01 |
| GB/T 8646-1998 | 半导体键合铝-1%硅细丝 | 已废止 | 1998-07-15 | 1999-02-01 |
| GB/T 1558-1997 | 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 | 已废止 | 1997-12-22 | 1998-08-01 |
| GB/T 8750-1997 | 半导体器件键合金丝 | 已废止 | 1997-12-22 | 1998-08-01 |
| GB/T 17170-1997 | 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 | 已废止 | 1997-12-22 | 1998-08-01 |
| GB/T 1555-1997 | 半导体单晶晶向测定方法 | 已废止 | 1997-12-22 | 1998-08-01 |
| GB/T 17169-1997 | 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法 | 已废止 | 1997-12-22 | 1998-08-01 |
| YS/T 99-1997 | 三氧化二砷 | 已废止 | 1997-05-15 | 1998-05-01 |
| GB/T 16595-1996 | 晶片通用网格规范 | 已废止 | 1996-11-04 | 1997-04-01 |
| GB/T 12962-1996 | 硅单晶 | 已废止 | 1996-11-04 | 1997-04-01 |
| GB/T 16596-1996 | 确定晶片坐标系规范 | 已废止 | 1996-11-04 | 1997-04-01 |
| GB/T 12963-1996 | 硅多晶 | 已废止 | 1996-11-04 | 1997-04-01 |