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31.080.01 半导体分立器件综合

收录 153 项
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标准号标准名称状态发布日期 实施日期
GB/T 4937.36-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度现行2025-12-022026-07-01
GB/T 4937.25-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环现行2025-12-022026-07-01
GB/T 46717-2025半导体器件 金属化空洞应力试验现行2025-10-312026-05-01
GB/T 4937.16-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND）现行2025-10-312026-05-01
T/IAWBS 025-2025碳化硅器件功率循环试验方法现行2025-09-242025-10-10
T/CASAS 057-2025高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法现行2025-08-292025-08-29
GB/T 45719-2025半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45720-2025半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45722-2025半导体器件 恒流电迁移试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45716-2025半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45718-2025半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45721.1-2025半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验现行2025-05-302025-09-01
T/CASAS 052-2025非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法现行2025-05-262025-05-26
T/ACCEM 515-2025高性能高密度沟槽栅IGBT器件现行2025-03-202025-04-18
T/ACCEM 515-2025高性能高密度沟槽栅IGBT器件现行2025-03-202025-04-18
T/CPSS 1004-2025车规级功率半导体模块动态特性测试规范现行2025-01-222025-01-23
T/CASAS 043-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 046-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 021-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法现行2024-11-192024-11-19
T/CASAS 033-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法现行2024-11-192024-11-19

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