| T/CASAS 027-2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-07-01 |
| T/CASAS 031-2023 | 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-07-01 |
| T/CASAS 029-2023 | Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-07-01 |
| GB/T 20870.5-2023 | 半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 4937.26-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM） | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 15651.6-2023 | 半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 20870.2-2023 | 半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器 | 现行 | 2023-09-07 | 2023-09-07 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| T/ZOIA 3003-2024 | 硅光电倍增管可靠性评估方法 | 现行 | 2024-02-04 | 2024-02-04 |
| T/ZOIA 3002-2024 | 硅光电倍增管性能测试方法 | 现行 | 2024-02-04 | 2024-02-04 |
| GB/T 4937.34-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 4937.35-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.5-2024 | 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 44514-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法 | 现行 | 2024-09-29 | 2024-09-29 |
| GB/T 44531-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 基于MEMS技术的车规级压力传感器技术规范 | 现行 | 2024-09-29 | 2024-09-29 |
| GB/T 44513-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-01-01 |
| GB/T 44635-2024 | 静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级 | 现行 | 2024-09-29 | 2024-09-29 |