| T/CASAS 045-2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 | 现行 | 2024-11-19 | 2024-11-19 |
| T/CASAS 044-2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法 | 现行 | 2024-11-19 | 2024-11-19 |
| T/CASAS 042-2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法 | 现行 | 2024-11-19 | 2024-11-19 |
| T/CASAS 037-2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法 | 现行 | 2024-11-19 | 2024-11-19 |
| GB/T 44919-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 薄膜力学性能的鼓胀试验方法 | 现行 | 2024-11-28 | 2024-11-28 |
| T/CPSS 1004-2025 | 车规级功率半导体模块动态特性测试规范 | 现行 | 2025-01-22 | 2025-01-23 |
| T/ACCEM 515-2025 | 高性能高密度沟槽栅IGBT器件 | 现行 | 2025-03-20 | 2025-04-18 |
| T/ACCEM 515-2025 | 高性能高密度沟槽栅IGBT器件 | 现行 | 2025-03-20 | 2025-04-18 |
| SJ/T 11975-2025 | 电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-08-01 |
| SJ/T 11972-2025 | 压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-08-01 |
| SJ/T 11974-2025 | 轨道交通牵引用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块门类规范 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-08-01 |
| SJ/T 11973-2025 | 新能源汽车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块门类规范 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-08-01 |
| T/CASAS 052-2025 | 非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法 | 现行 | 2025-05-26 | 2025-05-26 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45720-2025 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45722-2025 | 半导体器件 恒流电迁移试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45721.1-2025 | 半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| T/ZOIA 3020-2025 | 半导体磁阻元件技术规范 | 现行 | 2025-06-16 | 2025-06-16 |