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31.080 半导体分立器件

收录 463 项
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标准号标准名称状态发布日期 实施日期
GB/T 48163.3-2026半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第3部分:基于振动的电磁能量收集器即将实施2026-09-282027-04-01
GB/T 48163.5-2026半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第5部分:测量柔性热电器件发电功率的测试方法即将实施2026-09-282027-04-01
GB/T 48207-2026电容式指纹采集芯片参数测试方法即将实施2026-09-282027-04-01
GB/T 48163.8-2026半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第8部分:低功耗电子产品中柔性和可拉伸超级电容器的测试和评估方法即将实施2026-09-282027-04-01
GB/T 48207-2026电容式指纹采集芯片参数测试方法(英文版)即将实施2026-09-282027-04-01
GB/T 48163.2-2026半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第2部分:基于热功率的热电能量收集器即将实施2026-09-282027-04-01
GB/T 4023.2-2026半导体分立器件 第2部分:整流二极管即将实施2026-09-282027-04-01
GB/T 48216.2-2026半导体器件 通用鉴定指南 第2部分:可靠性鉴定中任务剖面的概念即将实施2026-09-282027-04-01
GB/T 47239.6-2026半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第6部分:柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 47239.5-2026半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第5部分:柔性材料热特性测试方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 48170-2026用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 48164.2-2026半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分:体二极管工作引起双极退化的试验方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 47239.1-2026半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第1部分:柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 47239.3-2026半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第3部分:柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 47239.4-2026半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第4部分:柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 20521.12-2026半导体器件 第14-12部分:半导体传感器 基于CMOS成像的气体传感器的性能测试方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 48164.1-2026半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 48168-2026半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 47239.2-2026半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第2部分:柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/Z 46809.2-2026半导体器件 第19-2部分:智能传感器 低功耗运行的智能传感器及电源的规格说明现行2026-08-272026-09-15

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