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31 电子学

收录 3011 项

下级分类

31.020 电子元器件综合

31.030 电子技术专用材料

31.040 电阻器

31.040.01 电阻器综合

31.040.10 固定电阻器

31.040.20 电位器、可变电阻器

31.040.30 热敏电阻器

31.040.99 其他电阻器

31.060 电容器

31.060.01 电容器综合

31.060.10 固定电容器

31.060.20 陶瓷电容器和云母电容器

31.060.30 纸介电容器和塑料膜电容器

31.060.40 钽电解电容器

31.060.50 铝电解电容器

31.060.60 可变电容器

31.060.70 电力电容器

31.060.99 其他电容器

31.080 半导体分立器件

31.080.01 半导体分立器件综合

31.080.10 二极管

31.080.20 晶体闸流管

31.080.30 三极管

31.080.99 其他半导体分立器件

31.100 电子管

31.120 电子显示器件

31.140 频率控制和选择用压电器件与介质器件

31.160 滤波器

31.180 印制电路和印制电路板

31.190 电子元器件组件

31.200 集成电路、微电子学

31.220 电子电信设备用机电元件

31.220.01 机电元件综合

31.220.10 插头和插座装置、连接器

31.220.20 开关

31.220.99 其他机电零部件

31.240 电子设备用机械构件

31.260 光电子学、激光设备

左右滑动表格，可查看日期并点击排序

标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
SJ/T 2658.2-2015	半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.1-2015	半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.8-2015	半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.7-2015	半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.6-2015	半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.5-2015	半导体红外发射二极管测量方法第5部分：串联电阻	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.4-2015	半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 10754-2015	电子器件用金、银及其合金钎料分析方法清洁性、溅散性的测定	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11030-2015	电子器件用金铜及金镍钎料中杂质铅、锌、磷的ICP-AES测定方法	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11028-2015	电子器件用金铜钎料的分析方法EDTA容量法测定铜	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11011-2015	电子器件用纯银钎料中杂质含量铅、铋、锌、镉、铁、镁、铝、锡、锑、磷的ICP-AES 测试方法	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11029-2015	电子器件用金镍钎料的分析方法EDTA容量法测定镍	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 10414-2015	半导体器件用焊料	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 10753-2015	电子器件用金、银及其合金钎料	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11550-2015	晶体硅光伏组件用浸锡焊带	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/Z 2808-2015	印制板组装件热设计	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11549-2015	晶体硅光伏组件用免清洗助焊剂	现行	2015-10-10	2016-04-01
GB/T 32130-2015	高压直流输电系统用直流PLC滤波电容器	现行	2015-10-09	2016-05-01
GB 51136-2015	薄膜晶体管液晶显示器工厂设计规范	现行	2015-09-30	2016-06-01
GB/T 6206-2015	黑白显像管空白详细规范	现行	2015-09-11	2016-05-01